【产品应用】
- 离子源控制总成：刻蚀离子源
- 离子源及射频匹配设备：沉积源和辅助源
- 电子枪装置匹配设备：辅助源
【产品特点】
- 独特的运转及强劲的优化系统
- 自主设计的PLC控制器及软件
- Remote显示操作面板
- 友好便捷的软件操作界面，一站式操控及数据收集
- 通过丰富的通信接口，兼容客户端设备软件控制
- 提供市场主流款产品，同时也提供客户定制化产品。
【产品特点】
- 提供宽且均匀的离子束流，准直度高；
- 根据聚焦等工艺要求自主设计面型，提高了产品均匀性；
- 拥有自主研发的稳定性增强设计，提高了产品长时间工作的稳定性及产品的使用寿命；
- 确保提供高质量的薄膜和工艺的稳定；
- 产品通过客户端验证，作为溅射源或辅助源用于高端光学镀膜设备
RF160-II HP高性能版-光通讯超稳定长时间镀膜
RF160-II HP高性能版-低损耗、高损伤阈值镀膜
【产品特点】
- 提供宽且均匀的离子束流，准直度高；
- 根据聚焦等工艺要求自主设计面型，提高了产品均匀性；
- 拥有自主研发的稳定性增强设计，提高了产品长时间工作的稳定性及产品的使用寿命；
- 确保提供高质量的薄膜和工艺的稳定；
- 针对低吸收类镀膜工艺拥有独特的设计方案，控制精度更高，保养维护更便捷；
- 产品通过客户端验证，作为溅射源或辅助源用于高端光学镀膜设备。
【产品特点】
- 准直度高，提供稳定均匀的离子束流；
- 拥有自主研发的稳定性增强设计，提高了产品长时间工作的稳定性及产品的使用寿命；
- 确保提供高质量的薄膜和工艺的稳定；
- 作为溅射源或辅助源用于高端镀膜设备。
【产品特点】
- FLAT, 2-Mo 替代同尺寸的石墨栅网，维护周期及使用寿命长，可使用O2，方便维护, 用于刻蚀工艺要求一般产品，如MEMS和高功率硅器件中的一些产品应用上；
- FLAT, 3-Mo 准直性更高，独特的均匀性增强设计，用于刻蚀工艺要求相对较高的产品。
【产品特点】
- FLAT, 3-Mo or 4-Mo 平面高准直型：用于刻蚀准直性要求高的矩形基片、柔性卷绕基片的产品，如AR、全息光栅及MEMS等产品的应用；
- CON, 3-Mo 聚焦型：用于矩形基片、柔性卷绕基片的产品镀膜，如超导的产品应用等；
- DIV, 3-Mo 发散型：用于矩形基片、柔性卷绕基片的产品辅助镀膜，如AR, 超导等产品的应用。
【产品特点】
- 具备一流的离子源性能、质量和可靠性；
- 产品通过市场验证，刻蚀速率及均匀性等性能优越，可完全取代进口产品，达到高端离子源栅网要求。
【产品特点】
- 高度方向性：通过准直的离子束垂直轰击材料表面，实现近乎垂直的侧壁刻蚀（各向异性极强），图形保真度高。
- 材料普适性：纯物理刻蚀过程，几乎可刻蚀任何材料（金属、介质、化合物等），不受材料化学性质限制。
- 非化学特性：不依赖化学反应，避免因材料化学活性差异导致的刻蚀选择性问题，刻蚀速率相对均匀。
- 可控性好：离子能量、束流密度等参数独立可调，工艺灵活，易于控制刻蚀速率和表面形貌。
- 加工质量高：通常能获得较低损伤、较低表面粗糙度的刻蚀表面。
- IBE 以高度各向异性和广泛的材料兼容性为核心优势，特别适合需要陡直侧壁、精细图形转移或刻蚀复杂/非传统材料的应用。
【产品特点】
- 双束协同：独立的主离子束溅射靶材产生沉积粒子，辅离子束同步轰击生长中的薄膜，精确调控膜层结构、应力与致密度。
- 超高膜质：辅离子束轰击显著提高薄膜的致密性、附着力，降低内应力，减少缺陷，实现接近体材料的优异光学与机械性能（极低吸收/散射）。
- 低温精密：非平衡过程允许在较低基底温度下沉积高质量薄膜，避免损伤热敏感基底，并实现原子级表面光滑度。
- 组分可控：精确的束流、能量、角度独立调节，实现对多元化合物薄膜化学计量比的高度控制。
- 工艺灵活：可溅射多种材料（金属、合金、氧化物、氮化物等），适用于制备高性能光学膜、硬质膜、半导体膜等。
- IBS利用独立双离子束（溅射+同步轰击），在低温下沉积超致密、低应力、低损伤、高精度化学计量比的薄膜，是尖端光学与功能镀膜的核心设备。
【产品特点】
- 高致密性：离子束轰击增强薄膜致密度，减少柱状结构；
- 强附着力：离子轰击清洁活化基片，显著提升膜基结合力；
- 低温成膜：离子能量替代高温，适用于热敏感基材；
- 成分/结构可控：精确调控离子能量、束流和入射角，优化薄膜性能；
- 应用广泛：可镀制高质量金属、化合物（氧化物、氮化物等）薄膜。
- 核心优势：结合蒸发（高沉积速率）与离子轰击（改善薄膜质量），实现高性能镀膜。
【产品特点】
- 通过超高真空(UHV)多阴极共溅射精确控制薄膜成份
- 可以用于自旋磁性多层膜(磁隧道结)、超导量子薄膜(约瑟夫森结)等薄膜的沉积
- 优异的厚度均匀性
- 无损伤沉积，低应力沉积
- 高精度控制薄膜厚度(约0.1nm)
- 低颗粒技术
- 超薄多层精细界面控制
- 使用小尺寸阴极以降低材料成本。靶材更换简单
【产品特点】
- 通过超高真空(UHV)多阴极共溅射精确控制薄膜成份
- 兼容平面和垂直磁隧道结(MTJ)形成
- 优异的厚度均匀性(1σ<1%)
- 无损伤沉积，低应力沉积
- 高精度控制薄膜厚度(约0.1nm)
- 低颗粒技术
- 超薄多层精细界面控制
- 使用小尺寸阴极以降低材料成本，靶材更换简单
